HCD(Hollow Cathode Discharge) 공법

진공상태에서 Electric Beam을 형성시켜, 금속(Ti, Cr ETC)을 Melt 시키면, 증기압에 의해 금속 이온이 공중에 분사됩니다. 이때 Bias 전압을 Substrate에 인가하면, 금속 이온이 Substrate에 증착 되어 치밀하고 고성능의 박막을 합성할 수 있습니다.

AIP(Arc Ion Plating) 공법

진공상태에의 Arc 방전은 저전압, 고전류의 형태로 이루어 지며, AIP는 이를 응용한 기술입니다. Arc 방전이 발생된 경우 음극의 국부적 용융에 의해 음극재료(Target)의 급격한 증발이 일어나면서 Plasma가 형성됩니다. 이때 많은 전류를 흘려주면 다시 가열, 이온화, 팽창의 과정을 거쳐 지속적으로 arcing과 음극재료(Target)의 식각이 이루어 지며, 이때 Bias 전압을 Substrate에 가하면, Substrate 표면에 다양한 고성능의 박막을 증착되게 됩니다.